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据报道,有市场消息称台积电在亚利桑那州的第二座厂房准备明年夏季左右开始装机,预计2027年3纳米制程即可开始投产。
知情人士透露,对台积电这家全球最大晶圆代工厂来说,在上述厂房安装设备,将是推进海外先进芯片制造的重要里程碑。多名消息人士透露,装机作业预计会在明年7-9月当季进行。
目前的时间表,跟台积电董事长兼总裁魏哲家将美国芯片生产规划加快至少数季的方针相符。亚利桑那州第二座厂房原本要等到2028年才会上线。
业界高层透露,芯片厂在装机后,生产线要花费最多一年才能完成验证以及产能拉升的过程。 由于先进制程的工序已增加至1000道以上,且将制程技术转移至另一座工厂并验证的程序极为繁琐,因此先进技术的投产周期可能会更长。
今年年中,供应链消息显示,台积电亚利桑那州二厂2025年4月动工,目前整体时间有提前迹象,预计2026年第三季装机、力争2027年上线,晶圆厂建设速度压缩在约两年,全速开动以应客户需求。晶圆厂盖完后,内部厂务还需要耗时约两年进行调整配置,以晶圆厂建设速度来说,台积电动作已非常快速。
台积电美国亚利桑那州凤凰城的第一座晶圆厂一期,已于2025 年初正式量产 4nm 芯片。目前该厂一期正采用 4nm 级的 N4 和 N4P 工艺,生产苹果 A16 处理器、AMD Ryzen 9000 系列 CPU 等至少三款处理器。值得一提的是,除了4nm,台积电美厂盯上了更先进的制程。据一份最新报告显示,美国亚利桑那州工厂工程师正被派往海外,学习3nm及2nm芯片生产的全方位流程,为日后亚利桑那州工厂争取芯片订单做准备。早在2021年,美国就曾派遣工程师前往中国台湾地区,开展为期一年半的培训。目前,这家美国工厂的产能聚焦于 5nm和 4nm芯片的生产,待工程师积累到亟需的经验后,最终将向更先进的光刻技术领域迈进。此次将有数名员工动身前往中国台湾地区,以深入熟悉 3nm和 2nm工艺技术。
而台积电美国亚利桑那州凤凰城晶圆厂二期原本规划的是3nm,有消息称将调整为3nm + 2nm 混合。工厂划分为 A、B 两个区域,A 区部署 3nm FinFET 工艺;B 区则提前导入 2nm GAA(全环绕栅极)工艺,还会评估包含背照式供电等在内的 2nm 相关技术,无需等后续其他新厂区建设就能推进 2nm 技术落地。
至于台积电美厂是否可以获得最先进制程?事实上,台积电先进制程是受到“N-2”方式管制的,也就是落后2代的技术才能出海,确保领先技术留台湾,例如台积电若在台湾发展1.2nm或1.4nm,才会允许1.6nm出去。在人才方面也会有管控,凡属关键技术项目,相关参与人员均加以管制,每年都会滚动式检讨,包含管制对象、规格都会纳入讨论,依此限制产品与技术出口。
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